
在电子电路设计中,二极管作为基础元件,其种类繁多,其中齐纳二极管(Zener Diode)和肖特基二极管(Schottky Diode)因其独特特性被广泛应用。本文将从工作原理、电气参数、应用场景等方面对两者进行深入对比分析,帮助工程师科学选型。
齐纳二极管:基于齐纳击穿效应,在反向电压达到特定阈值(齐纳电压)时,电流急剧上升,实现稳压功能。常用于电压参考与过压保护。
肖特基二极管:利用金属-半导体结形成的势垒,具有较低的正向导通压降和极快的开关速度,适用于高频、低功耗场景。
| 参数 | 齐纳二极管 | 肖特基二极管 |
|---|---|---|
| 正向导通压降 | 0.6–0.7V | 0.15–0.45V |
| 反向击穿电压 | 5–200V(可调) | 20–200V(通常固定) |
| 开关速度 | 较慢(微秒级) | 极快(纳秒级) |
| 反向漏电流 | 较小 | 较大(尤其高温下) |
齐纳二极管适用场景:
肖特基二极管适用场景:
选择时需综合考虑:
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